0 前言

利用RTOS的并行技术，我们能充分的发挥宿主MCU的性能，从而最大程度的提高程序烧写速度

1 理论基础

1. 烧写器的烧写速度瓶颈不在于传输速率
2. CPU在DMA烧写FLASH的同时，可以在RAM中同时接收数据
3. 一个FLASH控制器，只允许一个DMA操作

2 基本思路

1. 采用RAM FIFO机制，假设为A，B Block
2. 先填充A，然后启动DMA，开始烧录扇区1
3. 填充B，等待扇区1烧录完毕，配置DMA，烧录扇区2
4. 填充A，等待扇区2烧录完毕，然后配置DMA
5. 重复3.4步骤，直到完成

3 注意事项

1. 可以根据DMA的速率和系统总线速率，调整Block的大小和数据，从而尽可能的让DMA接近全负荷运行，从而达到理论FLASH理论烧写速率